公开是数据指出，和硅等传统半导体材料相比，GaN作为一种宽禁带材料，能够在更高压、更高频、更高温度环境下运行。

与SiC相比，GaN在成本方面表现出更强潜力，且GaN器件为平面器件，与现有Si半导体工艺兼容性强，使其更易与其他半导体器件集成，GaN可同时涵盖射频及功率领域，在高功率及高频率领域应用效果出色。

根据集邦咨询数据，2022年全球GaN功率器件市场规模为1.8亿美元，到2026年全球GaN功率器件有望达13.3亿美元，年均复合增长率或将高达65%。面对庞大市场需求，众多半导体厂商开始扩充产线，加速布局GaN市场。建议关注国内研发能力强、供应链完整且布局氮化镓相关产业的龙头厂商。